Об этом сообщает ИНТЕРФАКС со ссылкой на пресс-службу ИФП. Основной элемент СВЧ-устройств — транзистор с высокой подвижностью электронов. Для изготовления этих приборов в последнее время применяется нитрид галлия (GaN). Спектр его свойств позволяет уменьшить число транзисторов в каскадах СВЧ-устройств (а, значит, и габариты), увеличить их мощность и обеспечивает стабильность работы при повышенных температурах, наличии радиационного фона. Однако в процессе синтеза в кристаллическую структуру полупроводникового материала GaN встраивается кислород, приводя к нежелательным изменениям электрофизических свойств материала, например, он начинает проводить ток, там, где должен выступать в качестве диэлектрика.
Обычно для того, чтобы избежать этого явления, используется дополнительное введение углерода или железа для захвата лишних электронов или намеренное создание дефектов в начальных слоях нитрида галлия. Оба этих способа могут приводить к ухудшению параметров проводящего элемента транзистора и, как следствие, снижению мощности прибора.
Ученые ИФП нашли вариант решения проблемы, манипулируя условиями роста кристалла, не добавляя никаких примесей и сохраняя структурное совершенство слоя нитрида галлия, рассчитав оптимальные параметры роста для создания буферного слоя с высоким электрическим сопротивлением. В дальнейших планах ученых — апробация технологического процесса на новой более современной автоматизированной и производительной установке для синтеза нитридных гетероструктур.